SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術(shù)集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時切換時間達(dá)到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit

SOI納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低